Fiche technique
-30V ; 0.065Ω ; -4.1A
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Nano
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-20V ; 0.005Ω ; -20A
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-30V ; 0.021Ω ; -8A
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Nano
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-20V ; 0.056Ω ; -4.9A
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Nano
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
-200 V ; - 26A ; 170 mOhm
- Sous catégorie
- P CHANNEL MOSFET
- Package *
- Micro
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
Fiche technique
150 V; 48A; 6mΩ
- Sous catégorie
- GaN FET
- Package *
- Standard
- TID [krad]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- SEL LET th [MeV.cm²/mg]
- Rapport Simplifié fourni avec la commande
- MOQ
- 10
* Nano : Package Area < 30 [mm²] Micro : 30 [mm²] < Package Area < 60 [mm²] Standard : 60 [mm²] < Package Area < 105 [mm²]